型号 | IPI147N12N3 G |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3 |
IPI147N12N3 G PDF | ![]() |
代理商 | IPI147N12N3 G |
标准包装 | 500 |
系列 | OptiMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 120V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 56A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 14.7 毫欧 @ 56A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 61µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 49nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 3220pF @ 60V |
功率 - 最大 | 107W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
包装 | 管件 |
其它名称 | SP000652744 |